详解微纳加工工艺：光刻
2021-09-22
博研小编给大家普及一下，光刻是通过一系列生产步骤，将晶圆表面薄膜的特定部分除去的微纳加工工艺。光刻生产的目标是根据电路设计的要求，生成尺寸精确的特征图形，并且在晶圆表面的位置正确且与其它部件的关联正确。
一般的微纳光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等加工工序。
1.硅片清洗烘干
方法：湿法清洗＋去离子水冲洗＋脱水烘焙（热板150～250 ℃,1～2分钟，氮气保护）。
2.涂底
方法：a.气相成底膜的热板涂底。HMDS蒸气淀积，200～250 ℃,30秒钟；优点：涂底均匀、避免颗粒污染；b.旋转涂底。缺点：颗粒污染、涂底不均匀、HMDS用量大。
3.涂胶
方法：a.静态涂胶：硅片静止时，滴胶、加速旋转、甩胶、挥发溶剂（原光刻胶的溶剂约占65～85%,旋涂后约占10～20%）；b.动态涂胶：低速旋转、滴胶、加速旋转、甩胶、挥发溶剂。
4.软烘
方法：真空热板，85～120 ℃,30～60秒。
5.边缘去除
光刻胶涂覆后，在硅片边缘的正反两面都会有光刻胶的堆积。边缘的光刻胶一般涂布不均匀，不能得到很好的图形，而且容易发生剥离而影响其它部分的图形。所以需要去除。
6.对准
对准方法：a.预对准，通过硅片上的notch或者flat进行激光自动对准；b.通过对准标志，位于切割槽上。另外层间对准，即套刻精度，保证图形与硅片上已经存在的图形之间的对准。
7.曝光
曝光中最重要的两个参数是：曝光能量和焦距。如果能量和焦距调整不好，就不能得到要求的分辨率和大小的图形。表现为图形的关键尺寸超出要求的范围。
8.后烘
方法：热板，110～130℃，1分钟。
9.显影
a.整盒硅片浸没式显影。缺点：显影液消耗很大；显影的均匀性差；
b.连续喷雾显影/自动旋转显影。一个或多个喷嘴喷洒显影液在硅片表面，同时硅片低速旋转（100～500 rpm）。喷嘴喷雾模式和硅片旋转速度是实现硅片间溶 解率和均匀性的可重复性的关键调节参数。
10.硬烘
方法：热板，100～130 ℃，1～2分钟。
光刻是一种要求非常高的微纳工艺，博研小编这里只是简单叙述了下其加工步骤，想了解更多可以添加小编联系方式。
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