MEMS芯片 - 相变射频开关

该开关利用GeTe相变材料热致相变特性，实现晶态低电阻和非晶态高电阻之间的相互转换，具有低插损、高截止频率、低功耗、非易失、易集成等特点。以氧化片作为基底，NiCrSi薄膜电阻器通过剥离工艺进行图案化处理，Si3N4作为介质阻挡层通过等离子增强化学气象沉积法得到.介质阻挡层中的接触窗口采用干法反应离子刻蚀.然后对室温溅射沉积的GeTe进行剥离并晶化处理.接着通过剥离方式对Ti/Au接触和互联金属化层进行图案化处理.最后将一层Si3N4薄膜作为钝化层。