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新闻中心
2026/03/06
为什么MEMS器件偏爱SOI片?浅谈SOI在键合与掺杂中的优势
在MEMS的世界里,小巧而强大是核心追求从手机里的加速度传感器,到医疗领域的微型超声换能器,再到航天设备中的惯性导航器件,这些毫米甚至微米级的器件,对基底材料的要求近乎...
2026/02/28
微纳加工核心揭秘:光刻工艺,方寸之间的“雕刻魔法”
很多人对光刻工艺的认知局限于“曝光显影”,实则它是集光学、化学、材料学于一体的精密过程。其核心任务,是利用曝光和显影技术在光刻胶层刻画预设图形,再通过刻蚀工艺将光...
2026/02/10
刻蚀工艺的关键挑战:选择比、均匀性与损伤控制
刻蚀作为半导体制造中图形转移的核心工序,如同精细的微观雕刻,需将光刻定义的图案精准复刻至衬底材料,其工艺精度直接决定器件性能与良率。随着摩尔定律持续推进,器件线宽...
为什么MEMS器件偏爱SOI片?浅谈SOI在键合与掺杂中的优势
2026/03/06
在MEMS的世界里,小巧而强大是核心追求从手机里的加速度传感器,到医疗领域的微型超声换能器,再到航天设备中的惯性导航器件,这些毫米甚至微米级的器件,对基底材料的要求近乎...
微纳加工核心揭秘:光刻工艺,方寸之间的“雕刻魔法”
2026/02/28
很多人对光刻工艺的认知局限于“曝光显影”,实则它是集光学、化学、材料学于一体的精密过程。其核心任务,是利用曝光和显影技术在光刻胶层刻画预设图形,再通过刻蚀工艺将光...
刻蚀工艺的关键挑战:选择比、均匀性与损伤控制
2026/02/10
刻蚀作为半导体制造中图形转移的核心工序,如同精细的微观雕刻,需将光刻定义的图案精准复刻至衬底材料,其工艺精度直接决定器件性能与良率。随着摩尔定律持续推进,器件线宽...
如何提高深硅刻蚀的侧壁光滑度?
2026/02/05
深硅刻蚀是半导体制造、MEMS器件制备中的核心工艺,侧壁光滑度直接决定器件的电学性能、机械稳定性及封装兼容性,其粗糙度超标易引发漏电、应力集中等问题,严重影响产品良率。...
硅片、石英、SOI…不同半导体衬底如何影响您的微纳加工结果?
2026/01/29
在微纳加工领域,衬底作为器件的基底载体,其物理、化学及机械特性直接决定加工工艺兼容性、器件精度与最终性能。硅片、石英、SOI(绝缘体上硅)是三类目前应用广泛的半导体衬...
如何实现无缝连接?浅谈微纳加工中的键合技术与选择策略
2026/01/22
在微纳加工领域,键合技术是实现器件高精度集成、小型化与高性能的核心环节,如同微观世界的精密桥梁,为电子、生物医学、光学等领域的技术突破提供关键支撑。其核心目标是在...
光刻之后:刻蚀与镀膜如何定义结构?
2026/01/14
在芯片制造的微纳加工体系中,光刻被誉为画图的核心工序,通过光与掩模的协同将电路图案转移到光刻胶上。但光刻形成的仅为临时的平面图形,要构建出具备电学功能的三维微纳结...
从薄膜沉积到晶圆减薄:微纳制造中的表面工程精要
2026/01/07
在微纳制造领域,表面工程是决定器件性能与可靠性的核心环节,而薄膜沉积与晶圆减薄则是其中贯穿始终的两大关键工序。前者为晶圆表面赋予功能属性,后者为器件微型化与集成化...
提高深硅刻蚀良率的解决方案
2025/12/30
在微纳加工工艺体系中,深硅刻蚀作为制备MEMS器件、功率器件等核心结构的关键步骤,其良率直接决定产品量产可行性与成本控制。深硅刻蚀面临的侧壁粗糙度大、刻蚀速率不均、刻蚀...
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